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책 정보
· 분류 : 국내도서 > 대학교재/전문서적 > 공학계열 > 전기전자공학 > 반도체공학
· ISBN : 9788960550025
· 쪽수 : 649쪽
목차
Chapter 1 고체의 결정구조
0. 개요
1. 반도체 물질
2. 고체의 종류
3. 공간격자
4. 원자 결합
5. 고체에서의 결함과 불순물
6. 반도체 물질의 성장
7. 소자 제작 기술: 산화
8. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
Chapter 2 고체이론
0. 개요
1. 양자 역학 이론
2. 에너지 양자화 및 확률 개념
3. 에너지 밴드 이론
4. 상태 밀도 함수
5. 통계 역학
6. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
Chapter 3 평형상태의 반도체
0. 개요
1. 반도체에서의 전하 반송자
2. 도펀트 원자 및 에너지 준위
3. 불순물 반도체에서의 반송자 분포
4. 도너 및 억셉터의 통계
5. 반송자 농도-도핑 효과
6. 페르미 에너지 준위의 위치-도핑과 온도의 효과
7. 소자 제작 기술: 확산 및 이온 주입
8. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
Chapter 4 반송자 이동과 과잉 반송자 현상
0. 개요
1. 반송자 표동
2. 반송자 확산
3. 경사형 불순물 분포
4. 반송자 생성과 재결합
5. Hall효과
6. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
Chapter 5 pn 접합과 금속-반도체 접촉
0. 개요
1. pn접합의 기본 구조
2. pn접합-무인가 바이어스
3. 역 바이어스 된 pn집합
4. 금속-반도체 접촉-정류형 집합
5. 순방향 바이어스-서론
6. 금속-반도체 옴 접촉
7. 불균일하게 도핑된 pn접합들
8. 소자 제조 기술들: 노광 기술, 식각, 본딩
9. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
Chapter 6 MOSFET 기초
0. 개요
1. MOS 전기장 효과 트랜지스터의 동작
2. 2단자 MOS 캐패시터
3. MOS 캐패시터에서의 전위차
4. 커패시턴스 전압 특성
5. MOSFET 기본동작
6. 소신호 등가 회로와 주파수 제한 요인
7. 소자의 제작 기술
8. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
Chapter 7 MOSFET: 추가적인 개념들
0. 개요
1. MOSFET 스케일링
2. 비이상적인 효과들
3. 문턱전압변조
4. 추가적인 전기적 특성
5. 소자제조기술: 특수한 소자들
6. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
Chapter 8 반도체의 비평형 과잉 반송자
0. 개요
1. 반송자의 생성과 재결합
2. 과잉 반송자의 분석
3. 이극성 전달
4. 준 페르미 에너지 레벨
5. 과잉 반송자의 수명
6. 표면효과
7. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
Chapter 9 pn 접합과 쇼트키 다이오드
0. 개요
1. pn과 쇼트키 장벽 접합 재검토
2. pn접합-이상적인 전류-전압 관계
3. 쇼트키 장벽 접합-이상적인 전류-전압 관계
4. pn접합의 소신호모델
5. 생성-재결합 전류
6. 접합항목
7. 전하 저장과 다이오드 과도
8. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
Chapter 10 바이폴라 트랜지스터
0. 개요
1. 바이폴라 트랜지스터 동작
2. 소수 반송자 분포
3. 저주파에서 공통 베이스 전류 이득
4. 비이상적인 효과
5. 하이브 리드-파이 모델
6. 주파수 제한
7. 대신호 스위칭
8. 소자 제작 기술
9. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
Chapter 11 부가적인 반도체 소자와 소자 개념
0. 개요
1. 접합 전계효과 트랜지스터
2. 이종접합
3. 사이리스터
4. 부가적인 MOSFET
5. 미세전자기계시스템(MEMS)
6. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
Chapter 12 광소자
0. 개요
1. 광 흡수
2. 태양전지
3. 광검파기
4. LED
5. 레이저 다이오드
6. 요약
점검사항
복습문제
문제
참고문헌
부록