RF 회로설계 이론과 응용

머리말 v
chapter 01 개 요
1.1 RF(radio frequency) 설계의 중요성 / 2
1.2 전자파의 입체적 차원과 단위 / 7
1.3 주파수 스펙트럼 / 10
1.4 수동소자의 고주파 동작 / 11
1.5 칩 소자 성분과 회로기판의 고찰 / 27
1.6 RF 회로 제작 공정 / 31
1.7 요 약 / 34

chapter 02 전송 선로 해석
2.1 전송 선로 이론의 적용 이유는? / 46
2.2 전송 선로의 예제 / 50
2.3 등가회로 표현 / 54
2.4 이론적인 기초 / 56
2.5 평행 도체판 전송 선로의 회로 파라미터 / 61
2.6 서로 다른 전송 선로 형태에 대한 요약 / 65
2.7 일반적인 전송 선로 방정식 / 66
2.8 마이크로스트립 전송 선로 / 73
2.9 종단된 무손실 전송 선로 / 78
2.10 특수한 종단조건 / 84
2.11 입력과 출력단에 임피던스가 연결된 전송 선로 / 93
2.12 요 약 / 102

chapter 03 스미스 차트
3.1 반사계수에서부터 부하 임피던스까지 / 112
3.2 임피던스 변환 / 120
3.3 어드미턴스 변환 / 132
3.4 직렬 및 병렬연결 회로 / 136
3.5 요 약 / 146

chapter 04 단일 및 다단 회로
4.1 기본적인 정의 / 156
4.2 회로의 상호 연결 / 165
4.3 회로의 특성과 응용 / 174
4.4 산란계수 / 178
4.5 요 약 / 207

chapter 05 RF 필터 설계
5.1 기본적인 공진기와 필터 형태 / 219
5.2 특정 필터의 구현 / 238
5.3 필터 구현 / 259
5.4 결합필터 / 272
5.5 요 약 / 284

chapter 06 능동 RF 소자
6.1 반도체의 기본 이론 / 295
6.2 RF 다이오드 / 315
6.3 쌍극자 트랜지스터 / 332
6.4 RF 전계효과 트랜지스터(FET) / 351
6.5 금속 산화물 반도체 트랜지스터 / 361
6.6 HEMT / 364
6.7 반도체 기술 동향 / 369
6.8 요 약 / 375

chapter 07 RF 능동소자의 모델링
7.1 다이오드 모델 / 384
7.2 트랜지스터 모델 / 390
7.3 능동소자의 측정 / 421
7.4 산란 파라미터 소자 특성 / 429
7.5 요 약 / 439

chapter 08 정합 및 바이어스 회로
8.1 분리된 집중소자를 이용한 임피던스 정합회로 / 448
8.2 마이크로스트립 선로 정합회로 / 473
8.3 증폭기 동작급수와 바이어스 회로 / 485
8.4 요 약 / 506

chapter 09 RF 트랜지스터 증폭기 설계
9.1 증폭기의 특성 / 514
9.2 증폭기 전력이득 관계 / 515
9.3 증폭기 안정도 고찰 / 521
9.4 일정한 이득 / 534
9.5 잡음지수의 원 / 553
9.6 일정한 VSWR 원 / 558
9.7 광대역 증폭기, 고출력 증폭기 및 다단 증폭기 / 563
9.8 요 약 / 585

chapter 10 RF 발진기와 믹서
10.1 기본적인 발진기 모델 / 594
10.2 고주파 발진기 형태 / 624
10.3 믹서의 기본 특성 / 646
10.4 요 약 / 681

부록 / 689
부록 A 물리량과 단위 / 689
부록 B 원형도체에 대한 표피방정식 / 695
부록 C 복소수(complex number) / 699
부록 D 파라미터의 변환 / 701
부록 E 반도체의 물리적 파라미터 / 705
부록 F 다이오드의 모델 / 707
부록 G 결합기 / 711
부록 H 능동소자 잡음 / 721
부록 I MATLAB의 기본구성 및 응용 / 733

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