실리콘 집적회로 공정기술의 기초

Chapter 1 산화 및 재분포
1. 온도에 따른 실리콘 산화막 형성
2. 열산화막 형성
3. 열산화막 성장 모델
4. 불순물 재분포

Chapter 2 산화막의 성질 및 응용
1. 산화막의 성질
2. 산화율에 영향을 미치는 요소들
3. 산화막의 특성 평가 지표
4. 산화막의 응용

Chapter 3 실리콘과 산화막의 계면
1. C?V곡선
2. 이론적인 C?V곡선과의 차이

Chapter 4 게더링(Gettering)
1. 알칼리족 유동 양이온의 게더링
2. 실리콘 벌크 게더링

Chapter 5 C-V측정
1. 원 리
2. C-V곡선
3. 유동전하의 측정
4. 계면포획전하의 측정
5. PN 접합과 Schottky 접합

-참고문헌
-실습과제
-연습문제

제2편 확산공정

Chapter 1 확 산
1. 서 론
2. 도핑방법
3. 플래너공정
4. 실리콘 내의 불순물
5. 고체상태로부터의 도핑

Chapter 2 기체상태로부터의 도핑
1. 기체상태로부터의 도핑?동적 과정
2. 기본적인 고찰
3. 상세한 고찰
4. 기타 고려할 사항

Chapter 3 고체상태로부터의 확산
1. 개 요
2. 원자의 확산방법
3. 원자의 확산
4. 확산계수

Chapter 4 확산방정식
1. 확산방정식
2. 집적회로공정에 유용한 예
3. 집적회로공정에서의 응용
4. 열 예산

Chapter 5 확산층의 측정
1. 중요한 측정 변수
2. 수학적인 방법
3. 직접적인 분석방법
4. PN 접합의 형성을 이용한 전기적인 방법
5. 직접적인 전기적 방법

Chapter 6 마스킹 산화막과 선택적인 확산
1. 서 론
2. 산화막에서의 확산

-참고문헌
-실습과제
-연습문제

제3편 이온주입 공정

Chapter 1 서 론

Chapter 2 이온주입장비
1. 진공장치
2. 이온공급장치
3. 분류기
4. 가속기
5. 집속기
6. 중성빔 포획장치
7. 주사기
8. 이온주입실

Chapter 3 이온주입의 특징 및 응용
1. 불순물의 단위주입량 조절
2. 분포모양의 조절
3. 측면 퍼짐의 감소
4. 저온공정
5. 균일성
6. 높은 웨이퍼 처리량
7. 간편한 불순물 공급원

Chapter 4 비정질에서의 주입이온의 분포
1. 분포범위
2. 에너지 손실 방정식
3. 가우시안 분포
4. 주입된 이온들의 확산
5. 주입된 이온의 측면 퍼짐

Chapter 5 단결정에서의 주입이온의 분포

Chapter 6 손 상(Damage)
1. 손상덩어리(damage cluster)의 개념
2. 실리콘에서의 결함
3. 손상분석기기
4. 손상의 구조적 특징

Chapter 7 어닐링(Annealing)

Chapter 8 소자 및 집적회로 제조기술에 미치는 영향
1. 실리콘에서의 도핑
2. GaAs에서의 도핑
3. 손상의 직접적인 이용

-참고문헌
-실습과제
-연습문제

제4편 화학기상증착 공정

Chapter 1 화학기상증착
1. 개 요
2. CVD 장비
3. CVD에서의 안전

Chapter 2 실리콘 에피 성장(Silicon Epitaxy)
1. 개 요
2. 장 치
3. 에피 성장의 역학
4. 실리콘 에피 성장을 위한 가스
5. 핵 형성
6. 결 함
7. 에피 성장시의 도핑
8. 자동도핑
9. 패턴 이동(Pattern Shift)
10. 평 가
11. 연구 경향

Chapter 3 저압화학기상증착(LPCVD)
1. 반응로와 증착원리
2. 화학기상증착 변수의 영향
3. 다결정 실리콘 증착
4. 유전체 박막 형성
5. LPCVD 박막의 이용

Chapter 4 플라스마 화학기상증착(PECVD)
1. 개 요
2. PECVD의 기본개념
3. 글로방전 반응장치
4. 무기질 박막의 증착

-참고문헌
-실습과제
-연습문제

제5편 사진식각 공정

Chapter 1 감광제이론
1. 역 사
2. 분류 및 구성
3. 양성 감광제
4. 음성 감광제
5. 양성 및 음성 감광제의 비교

Chapter 2 스핀 코팅, 소프트 베이크, 현상, 하드 베이크
1. 표면 준비와 감광막의 접착도
2. 감광제의 스핀 코팅
3. 소프트 베이크
4. 현 상
5. 하드 베이크

Chapter 3 노출공정
1. 노출방식
2. 광학이론
3. 해상도 향상을 위한 방법
4. 사진 마스크

Chapter 4 크기 조절 및 검사
1. 임계 치수
2. 노출에너지 곡선
3. 검사의 중요성
4. 현상 검사
5. 식각 검사

Chapter 5 현상검사와 문제점
1. 불균일한 감광제의 도포
2. 스피드 보트(speed boat)
3. 오렌지 껍질(orange peel)
4. 스컴(scum)
5. 접촉불량
6. 감광막의 산화
7. 현상 불량
8. 마스크 런 아웃(mask run-out)

Chapter 6 정상파 문제와 빛의 반사
1. 정상파 현상
2. 산화막 스텝에서의 알루미늄의 반사

Chapter 7 적외선 베이크
1. 베이크방식의 비교
2. 적외선 오븐 설치
3. 적외선 베이크가 웨이퍼에 미치는 영향
4. 적외선 베이크 공정조건의 결정

Chapter 8 습식식각
1. 완충용액
2. 종말점
3. 실리콘 산화막
4. 실리콘 질화막
5. 다결정 실리콘
6. 알루미늄
7. 알루미늄과 실리콘 합금의 식각
8. 2단계 식각
9. 경사면 식각

Chapter 9 건식식각
1. 건식식각의 원리
2. 건식식각의 공정방법

Chapter 10 식각의 문제점
1. 얼룩식각
2. 언더컷과 과도 식각
3. 감광막의 일어남
4. 알루미늄 식각의 문제점
5. PSG 식각의 문제점

Chapter 11 감광막의 공정기준
1. AZ 감광막의 사용 및 제원
2. 반도체와 박막 식각용액

-참고문헌
-실습과제
-연습문제

제6편 금속공정

Chapter 1 금속공정
1. 서 론
2. 금속시스템이 갖추어야 할 조건
3. 금속시스템

Chapter 2 금속-실리콘 접촉
1. Schottky 장벽의 밴드 구조
2. 전류?전압 특성
3. 옴성 접촉 영역

Chapter 3 금속 박막의 형성과 비교
1. 화학기상증착(CVD)
2. 물리적 증착
3. 진공시스템
4. 진공 측정
5. 증착속도 감지기
6. 공정 순서
7. 면저항과 비저항 측정
8. 막두께 측정
9. Na+오염의 감시

Chapter 4 알루미늄 박막의 성질
1. 물리적 성질
2. 전기적 성질
3. 화학적 성질
4. 표면 커버리지
5. 접착(adhesion)
6. 알루미늄 시스템의 장단점

Chapter 5 알루미늄공정
1. 서 론
2. 이층 금속공정
3. 이층 금속공정에서의 문제점
4. 예리한 변두리 문제의 해결
5. 알루미늄의 또 다른 공정방법
6. 양극산화

Chapter 6 알루미늄의 신뢰도
1. 서 론
2. 실리콘?알루미늄 상호반응
3. 알루미늄을 통한 알칼리이온의 침투
4. 전기적 이동(electromigration)
5. 알루미늄 부식

Chapter 7 CMP와 다층 금속배선
1. 서 론
2. CMP의 기본개념
3. CMP 장비 및 공정
4. CMP 공정의 특성
5. CMP의 활용
6. 저유전상수 물질
7. 구리와 이중 상감공정
-참고문헌
-실습과제
-연습문제

제7편 시험공정

Chapter 1 측정에 사용되는 용어 소개
1. 정밀도(precision)
2. 정확도(accuracy)
3. 오차(errors)
4. 표준화 및 보정(standardization and calibration)
5. 범위(range)
6. 분해능(resolution)
7. 잡음(noise)
8. 대역폭(bandwidth)
9. 환경적 요인(environmental factors)

Chapter 2 바이폴러 변수 측정
1. 개 요
2. 다이오드와 트랜지스터의 변수

Chapter 3 MOS 변수 측정
1. 개 요
2. MOS 변수 측정

Chapter 4 실습 I. 각종 변수의 측정

Chapter 5 실습Ⅱ. 프로브 스테이션
1. 구 조
2. 탐침의 세척(cleaning)
3. 평면성의 검사(planarity)
4. 탐침 접촉저항

-참고문헌
-연습문제

제8편 일괄공정

Chapter 1 단위공정
1. 웨이퍼 세척
2. 산 화
3. 화학기상증착(LPCVD)
4. 사진식각공정
5. 이온주입
6. 확 산
7. 금속 증착
8. Al 합금

Chapter 2 실리콘 게이트 NMOS 공정의 기본기술
1. 선택적 산화 실리콘 게이트 NMOS 제작공정
2. 소자 제조를 위한 공정 설계
3. 이층 다결정 실리콘 공정
4. 짧은 채널효과
5. 공정검사
6. 이온주입시 고려되어야 할 사항
7. 설계규칙

Chapter 3 NMOS, CMOS 및 TTL 공정순서
1. NMOS 공정 순서
2. CMOS 공정 순서
3. TTL 공정순서

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