BOOKPRICE.co.kr
책, 도서 가격비교 사이트

Device characterization of Dy-incorporated HfO2 gate oxide nMOS device (Paperback)

(Device characteristics and reliability of DyO/HfO gate dielectrics and the application to NAND Flash memory)

Lee, Tackhwi (지은이)

Dictus Publishing

154,350원

일반도서

검색중

서점	할인가	할인률	배송비	혜택/추가	실질최저가	구매하기
	146,630원	-5%	0원	4,400원	142,230원	>

검색 결과 내에 다른 책이 포함되어 있을 수 있습니다.

중고도서

검색중

서점	유형	등록개수	최저가	구매하기

eBook

검색중

서점	정가	할인가	마일리지	실질최저가	구매하기

책 이미지

Device characterization of Dy-incorporated HfO2 gate oxide nMOS device

eBook 미리보기

책 정보

· 제목 : Device characterization of Dy-incorporated HfO2 gate oxide nMOS device (Paperback) (Device characteristics and reliability of DyO/HfO gate dielectrics and the application to NAND Flash memory)
· 분류 : 외국도서 > 기술공학 > 기술공학 > 전자공학 > 일반
· ISBN : 9783844393422
· 쪽수 : 136쪽
· 출판일 : 2011-05-13

저자소개

Lee, Tackhwi (지은이) 정보 더보기

펼치기