반도체제조공정 기술

Chapter 01. 반도체 산업안전
1.1 실험실 용어
1.2 반도체 산업안전
1.3 실험실 안전수칙
1.4 실험실 운영
1.5 반도체 제조 공정

Chapter 02. 세정(Cleaning) 공정
2.1 세정 공정
2.2 세정 공정의 특징
2.3 세정 공정 장비의 특징
2.4 세정 공정 정리

Chapter 03. Oxidation(산화) 공정
3.1 산화 공정
3.2 산화 공정의 특징
3.3 산화 공정 장비의 특징
3.4 산화 공정 관리

Chapter 04. 확산(Diffusion) 및 이온 주입(Ion Implant) 공정
4.1 확산 및 이온 주입 공정
4.2 확산 및 이온 주입 공정의 특징
4.3 확산 및 이온 주입 공정 장비의 특징
4.4 확산 및 이온 주입 공정 관리

Chapter 05. CVD 공정
5.1 CVD 공정
5.2 CVD 공정의 특징
5.3 CVD 장비의 특징
5.4 CVD 공정 장비의 소개

Chapter 06. PVD 공정
6.1 PVD 공정
6.2 PVD 공정 및 장비의 특징
6.3 PVD 공정의 특징
6.4 PVD 공정 관리

Chapter 07. 포토 공정
7.1 포토 공정
7.2 포토 공정의 특징
7.3 포토 공정 장비의 특징
7.4 포토 공정 관리

Chapter 08. 식각 공정
8.1 실습 목적
8.2 식각 공정의 특징
8.3 식각 공정 장비의 특징
8.4 식각 공정 관리

Chapter 09. CMP 공정
9.1 CMP 공정
9.2 CMP 공정의 특징
9.3 CMP 공정 장비의 특징
9.4 CMP 공정 관리

Chapter 10. 측정 및 검사(Metrology & Inspection)
10.1 측정 및 검사
10.2 측정 및 검사 분류
10.3 분석 방법

Chapter 11. 반도체 실습 결과 분석
11.1 실습 결과 분석
11.2 집적 공정실습

APPENDIX (부록)
A.1 반도체 용어
A.2 물질안전보건(MSDS) 및 주의사항
A.3 참고문헌