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기초반도체공학

기초반도체공학

(Fundamental Semiconductor Engineering)

류장렬 (지은이)
형설출판사
24,000원

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기초반도체공학
eBook 미리보기

책 정보

· 제목 : 기초반도체공학 (Fundamental Semiconductor Engineering)
· 분류 : 국내도서 > 대학교재/전문서적 > 공학계열 > 전기전자공학 > 반도체공학
· ISBN : 9788947226257
· 쪽수 : 418쪽
· 출판일 : 2007-08-30

목차

제1장 물성론
제1절 소립자
1. 원 자
2. 전자의 전하
3. 전자의 질량
4. 전자의 에너지
5. 전자의 힘
제2절 양자론의 기초
1. 양 자
2. 입자의 파동성
3. 양자의 입자성
4. 보어(Bohr)의 원자 모형
5. 전자의 양자수
제3절 확률분포함수
제4절 페르미 - 디렉 분포함수
■ 복습문제
■ 연구문제

제2장 반도체의 결정
제1절 결정의 정의
제2절 결정의 종류
제3절 결정 구조
1. 단순입방격자
2. 면심입방격자
3. 체심입방격자
4. 다이아몬드형 결정 구조
5. 기타 결정구조
제4절 밀러 지수(Index)
제5절 결정 결함(Defect)
1. 정결함
2. 선결함
3. 면결함
제6절 결정 구조의 해석
■ 복습문제
■ 연구문제

제3장 반도체의 재료
제1절 도체ㆍ반도체ㆍ절연체
제2절 반도체의 특징
제3절 반도체의 특성과 기능
1. 원자의 기본 구조
2. 반도체의 구조
제4절 반도체의 종류
1. 실리콘
2. 진성 반도체
3. 불순물 반도체
제5절 반도체의 발전 과정
제6절 반도체 재료
제7절 반도체의 역할
1. 정 류(整流)
2. 증 폭(增幅)
3. 변환 및 전환
4. 저장 및 기억
5. 계산 및 연산
6. 제 어
■ 복습문제
■ 연습문제

제4장 반도체의 에너지 밴드
제1절 공유결합과 에너지 밴드
1. 공유결합
2. 고체의 에너지
제2절 에너지갭
1. 에너지대
2. 에너지대와 전자ㆍ정공의 발생
제3절 간접 및 직접 천이형 반도체
제4절 불순불 반도체의 에너지대
1. N형 반도체의 에너지 구조
2. P형 반도체의 에너지 구조
■ 복습문제
■ 연습문제

제5장 반도체의 도전 현상
제1절 고체의 도전 현상
제2절 반도체의 드리프트
제3절 반도체의 전기전도
제4절 격자산란
제5절 불순물산란
제6절 홀 효과
제7절 확산운동
제8절 열대성과 재결합
제9절 과잉 소수 캐리어
1. 과잉 캐리어 농도
제10절 반도체의 캐리어 밀도
제11절 반도체의 페르미 준위
1. 진성 반도체
2. N형 반도체
■ 복습문제
■ 연습문제

제6장 반도체의 PN 접합
제1절 PN 접합
1. 공핍층
2. 접촉전위차
3. 공핍층의 전계
4. 전위분포
5. 공핍층의 폭
제2절 PN 접합 다이오드
1. 정류 특성
2. 공핍층영역의 변화
제3절 다이오드이 커패시터
1. 접합 커패시터
2. 공핍층 커패시터
제4절 항복 현상
1. 애벌란시 항복
2. 재너 항복
제5절 다이오드의 응용
1. 다이오드의 저항
2. 제너 다이오드 회로
3. 전파정류회로
4. 클리퍼와 클램퍼
■ 복습문제
■ 연습문제

제7장 금속과 반도체의 접촉
제1절 쇼트키 장벽
제2절 쇼트키 장벽 다이오드
1. 접합의 성질
2. 쇼트키 효과
3. 쇼트키 다이오드의 전류
4. 옴(Ohm)성 접촉
■ 복습문제
■ 연구문제

제8장 트랜지스터
제1절 바이폴러 트랜지스터
1. 점 접촉형 트랜지스터
2. 접합형 트랜지스터
3. 평면형 트랜지스터
4. NPNI PNP 트랜지스터
제2절 전계효과 트랜지스터
1. 전계효과 트랜지스터
2. 동 작
3. MOSFET
4. MOSFET의 특성
5. nMOS 논리회로
6. CMOS(Complementary MOS) 소자
■ 복습문제
■ 연습문제

제9장 반도체의 제조공정
제1절 반도체의 재료
1. 웨이퍼
2. 마스크
3. 리드프레임
제2절 반도체 설비
1. 제조설비
2. 캐미컬 및 유틸리티
제3절 반도체 제조공정
1. 반도체 제조의 기초
2. 웨이퍼 제조 및 회로설계
3. 웨이퍼 가공
4. 조립 및 검사
5. 패키징(Packaging) 공정
제4절 반도체 소자 제조방법
1. 바이폴러 트랜지스터
2. MOS 트랜지스터
3. nMOS 트랜지스터의 제조공정
4. CMOS 소자의 공정과 레이아웃
제5절 반도체 생산
1. 제조 라인
2. 청정실
■ 복습문제
■ 연구문제

제10장 특수반도체 소자
제1절 정전압 다이오드
제2절 광다이오드
제3절 광 트랜지스터(Phototransistor)
제4절 발광다이오드
제5절 반도체 레이저
제6절 단일접합 트랜지스터
제7절 사이리스터
1. 실리콘 제어 정류기
2. 실리콘 제어 스위치(SCS)
3. 다이액과 트라이액
4. 프로그래머블 단일접합 트랜지스터
5. SUS와 SBS
제8절 집접회로 소자
1. 메모리 소자
2. 마이크로 소자
3. 기타 반도체 소자
제9절 정보 디스플레이
1. 디스플레이의 구성요소
2. 디스플레이의 개발
3. 디스플레리의 종류와 특성
■ 복습문제
■ 연습문제

부 록
1. Symbol lists
2. International system of lists
3. Unit prefixes
4. Greek alphabet
5. Physical constants
6. Properties of Ge, Si, GaAs at 300k
7. Properties of SiO₂, Si₃N₄ at 300k
8. Periodic table of the elements

저자소개

류장렬 (지은이)    정보 더보기
인하대학교 공과대학 전자공학과를 졸업한 후, 석사와 공학박사학위를 받았습니다. 그 후 미국 배미지주립대학교와 일본 규슈대학교에서 수학했으며, 현재 공주대학교 공과대학 전기전자제어공학부 교수로 근무하고 있습니다. 관심 분야는 반도체공학 교육, LCD 부품, LED 효율 개선 관련 분야로, 이와 관련한 연구 개발을 진행 중에 있습니다. 이러한 일련의 연구를 수행하면서 국내외에 50여 편의 학술 논문을 발표하였고,《Advanced Semiconductor Engineering》,《Advanced Electronic Device Engineering》, 《Digital System Design using VHDL》 등의 책을 저술하였습니다.
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