물리전자공학

CHAPTER 01 물리전자의 기초
1.1 원자와 전자
1.2 에너지의 단위
1.3 전위와 전계
1.4 전계 내에서의 전자의 운동
1.5 평등전계 내에서 전자의 1차원 운동
1.6 평등전계 내에서 전자의 2차원 운동
1.7 전자의 정전편향(electrostatic deflection)
1.8 자계 내에서의 전자의 운동
1.9 전자의 자기편향(magnetic deflection)
연습문제

CHAPTER 02 고체내의 양자역학 기초
2.1 물리학적 모형
2.2 실험적 관측
2.3 Bohr의 모형
2.4 쉬뢰딩거(Schrodinger) 파동방정식
2.5 전위우물 속의 전자
연습문제

CHAPTER 03 결정체와 반도체결정 성장
3.1 결정(crystal)
3.2 결정 격자(crystal lattice)
3.3 원자의 결합
3.4 반도체 재료
3.5 반도체 결정의 성장
연습문제

CHAPTER 04 반도체 물성의 기초
4.1 Bohr의 원자모형
4.2 원자의 전자적 구조
4.3 Puli의 배타율(pauli exclusion principle)
4.4 에너지대의 구조
4.5 자유전자와 정공
4.6 에너지대의 해석
연습문제

CHAPTER 05 전자 전도 기구
5.1 전자와 정공의 열운동
5.2 드리프트(Drift) 운동
5.3 확산운동
5.4 이동도와 확산정수와의 관계
5.5 전류밀도
5.6 도전율(conductive)
연습문제

CHAPTER 06 반도체의 전기적 성질
6.1 분포함수
6.2 진성반도체
6.3 외인성 반도체
6.4 외인성 반도체에서의 캐리어 농도
6.5 소수캐리어의 수명
6.6 Hall효과
연습문제

CHAPTER 07 PN접합(junction)
7.1 반도체재료의 제조공정
7.2 PN접합
7.3 열평형상태에서의 PN접합
7.4 열적평형상태의 PN접합에 관한 해석
7.5 PN접합에 대한 바이어스전압의 효과
연습문제

CHAPTER 08 PN접합 다이오드의 특성
8.1 이상적 PN다이오드의 동작
8.2 이상적 PN다이오드의 특성
8.3 이상적 PN다이오드의 정특성
8.4 실제의 PN다이오드의 정특성
8.5 다이오드특성의 온도 변화
8.6 다이오드 저항
8.7 공간전하용량
8.8 확산용량
8.9 애벌란치항복
8.10 제너항복
8.11 제너다이오드
8.12 터널다이오드
연습문제

CHAPTER 09 금속과 반도체와의 접촉
9.1 금속과 금속의 접촉
9.2 금속과 반도체와의 접촉
9.3 반도체의 표면장벽
9.4 금속정류기
9.5 특수 다이오드
9.6 기타 다이오드
연습문제

CHAPTER 10 트랜지스터의 특성
10.1 트랜지스터의 구조
10.2 트랜지스터 작용
10.3 이상적 트랜지스터의 해석
10.4 Ebers-Moll의 회로모델
10.5 실제의 트랜지스터
10.6 공통베이스 특성
10.7 공통 에미터접속 CE의 정특성
10.8 CE정특성에 관한 해석
10.9 트랜지스터의 최대정격
연습문제

CHAPTER 11 전계효과 트랜지스터
11.1 전계효과 트랜지스터(field effect transistor)의 일반적 해설
11.2 접합전계효과 트랜지스터의 제조와 특성
11.3 금속-절연체-반도체 전계효과 트랜지스터
11.4 MOS전계효과 트랜지스터의 구조 및 특성
11.5 CMOS
11.6 금속-반도체 전계효과 트랜지스터
연습문제

부록
희랍문자
물리양의 단위
단위의 환산과 배수
물리량의 단위
전기와 전기량의 단위와 단위표기
기본 정수
중요 반도체의 성질