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책 정보
· ISBN : 9788996035695
· 쪽수 : 242쪽
책 소개
목차
제 1 장 컴퓨터에 발생하는 이상 과전압
1.1 컴퓨터 보호장치의 사명과 이상 과전압
1.2 이상 과전압의 종류
1.2.1 서지전압(Surge Voltage)
1.2.2 전원 주파수 과전압(Power Frequency Over Voltage)
1.2.3 정전기 방전(Electro Static Discharge)
1.3 낙뢰(Lightning)
1.3.1낙뢰의 형성조건
1.3.2 교류 전원선에서의 낙뢰파형
1.3.3 전화선에서의 낙뢰파형
1.3.4 낙뢰 전류의 흐르는 분포
1.3.5 낙뢰 직격에 의한 피해
1.4 유도 서지전압(Induced Surge Voltage)
1.4.1 유도 서지의 형성조건
1.4.2 유도 서지 파형
1.4.3 유도 서지 피해
1.5 스위칭 서지전압(Switching surge voltage)
1.5.1 기계적 스위칭 서지의 형성조건
1.5.2 기계적 스위칭 서지 파형
1.5.3 기계적 스위칭 서지피해
1.5.4 전기적 스위칭 서지의 형성조건
1.5.5 전기적 스위칭 서지 파형
1.5.6 전기적 스위칭 서지 피해
1.6 전원 주파수 과전압(Power Frequency over voltage)
1.6.1 전원 주파수 과전압의 형성조건
1.6.2 전원 주파수 과전압의 파형
1.6.3 전원 주파수 과전압에 의한 피해
1.7 정전기 방전(Electro Static Discharge)
1.7.1 정전기 형성조건
1.7.2 정전기 방전 파형
1.7.3 정전기 방전 피해
제 2 장 이상 과전압 대책
2.1 서지 제거의 기본개념
2.1.1 낙뢰 방어
2.1.2 유도 서지 방어
2.1.3 스위칭 서지 방어
2.1.4 전원 주파수 과전압 방어
2.1.5 정전기 방전 방어
2.2 서지 제거에 사용되는 부품들
2.2.1 가스 방전관(Gas Discharge Tube Arrester)
2.2.1.1 가스 방전현상
2.2.1.2 냉음극 방전의 조건
2.2.1.3 가스관의 방전 특성
2.2.1.4 가스관 구조 및 기호
2.2.1.5 가스관 제조공정
2.2.1.6 가스관 기본특성 시험
2.2.1.7 가스관 카탈로그
2.2.2 산화철 배리스터(MOV, Metal Oxide Varistor)
2.2.2.1 산화아연 접점에서의 에너지 밴드
2.2.2.2 산화철 배리스터의 전기적 특성
2.2.2.3 산화철 배리스터의 구조 및 기호
2.2.2.4 산화철 배리스터의 제조공정
2.2.2.5 산화철 배리스터의 기본특성 시험
2.2.2.6 산화철 배리스터 카탈로그
2.2.3 TVS 다이오드(Transient Voltage Suppression Diode)
2.2.3.1 반도체 내에서의 전자의 이동
2.2.3.2 TVS 다이오드의 전기적 특성
2.2.3.3 TVS 다이오드의 구조 및 기호
2.2.3.4 TVS다이오드의 제조공정
2.2.3.5 TVS다이오드의 기본특성 시험
2.2.3.6 TVS 다이오드 카탈로그
2.2.4 사이리스터(Thyristor)
2.2.4.1 사이리스터의 전기적 특성 및 등가회로
2.2.4.2 사이리스터의 구조 및 기호
2.2.4.3 사이리스터의 제조공정
2.2.4.4 사이리스터의 기본특성 시험
2.2.4.5 사이리스터 카탈로그
2.2.5 다층 배리스터(Multilayer Varistor)
2.2.5.1 다층 배리스터의 전기적 특성
2.2.5.2 다층 배리스터의 구조 및 기호
2.2.5.3 다층 배리스터의 제조공정
2.2.5.4 다층 배리스터의 외관검사
2.2.5.5 다층 배리스터의 기본 전기 특성 시험
2.2.5.6 다층 배리스터 카탈로그
2.2.6 제너 다이오드(Zener Diode)
2.2.6.1 제너 다이오드의 전기적 특성
2.2.6.2 제너 다이오드의 구조 및 기호
2.2.6.3 제너 다이오드의 제조공정
2.2.6.4 제너 다이오드의 기본특성 시험
2.2.6.5 제너 다이오드 카탈로그
2.2.7 PTC(Positive Temperature Coefficient)
2.2.7.1 PTC의 전기적 특성
2.2.7.2 PTC 의 구조 및 기호
2.2.7.3 PTC의 제조공정
2.2.7.4 PTC의 기본특성 시험
2.2.7.5 PTC 카탈로그
2.2.8 NTC(Negative Temperature Coefficient)
2.2.8.1 NTC의 전기적 특성
2.2.8.2 NTC의 구조 및 기호
2.2.8.3 NTC의 제조공정
2.2.8.4 NTC의 기본특성시험
2.2.8.5 NTC카탈로그
2.2.9 고속 리커버리 다이오드(Fast Recovery Diode)
2.2.9.1 FRD의 기본특성
2.2.9.2 FRD 카탈로그
제 3 장 서지 방어의 실제
3.1 낙뢰 서지 방어의 실제
3.1.1 전원 공급회로의 낙뢰 서지 방어
3.1.2 전화선 낙뢰 서지 방어
3.1.3 안테나 회로의 낙뢰 서지 방어
3.2 유도 서지 방어의 실제
3.2.1 전원 공급회로의 유도 서지 방어
3.2.2 전화선의 유도 서지 방어
3.2.3 기타 회로의 유도서지 방어
3.3 스위칭 서지 방어의 실제
3.3.1 기계적 스위칭 서지 방어
3.3.2 전기적 스위칭 서지 방어
3.4 전원 과전압 방어 의 실제
3.4.1 교류전원 과전압 방어
3.4.2 직류전원 과전압 방어
3.5 정전기 방전(ESD) 방어 의 실제
3.5.1 컴퓨터 외부의 ESD 방어
3.5.2 컴퓨터 내부 회로의 ESD 방어
도표 1. 전류강도와 인체가 받는 영향
도표 2. FCC Part 68의 전원 과전압 시험조건
도표 3. 양(+)이온과 음(?)이온이 각 물질에서 생기는 순서
도표 4. 정전기 방전조건과 전압강도
도표 5. 정전기전압에 의한 전자부품의 파괴 한계
도표 6. 서지보호 부품의 크램핑 전압과 최대 취급전류
도표 7. TVSD, MOV 및 GDT 각 특성의 최대 와 최저값 비교표
부 록
부록 1. 기술용어의 정의
부록 2. 각 기관에서 설정한 서지 파형, 전압 및 전류
부록 3. 컴퓨터의 정전기 방전 (ESD) 시험 방법
부록 4. TVSD 신뢰성시험 절차
부록 5. 참고 문헌
부록 6. 저자 프로파일