메모리 커패시터용 PbO3 강유전체 박막의 제작과 특성

1. 서론

2. 이론적배경
Pb(2r ti)O3 (P2T)재료의 기본성질

3. - P2T 박막의 메모리 커패서터 응용

4. RF Magnetron Sputtering 기술에 의한 P2T 박막의 제작
- 스퍼터링 타겟과 하부구조의 설계
- 시편제작
- 측정방법

5. 실험결과 및 고찰
- Pt/Ti/SiO2/Si 하부구조
- P2T 박막의 상형성
- 형상관찰 및 성분분석
- P2T 커패서터의 전기적 특성

6. 결론