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Semiconductor Device Engineering

Semiconductor Device Engineering

(반도체소자공학)

류장렬 (지은이)
형설출판사
27,000원

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Semiconductor Device Engineering
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책 정보

· 제목 : Semiconductor Device Engineering (반도체소자공학)
· 분류 : 국내도서 > 대학교재/전문서적 > 공학계열 > 전기전자공학 > 반도체공학
· ISBN : 9788947226233
· 쪽수 : 540쪽
· 출판일 : 2007-08-30

목차

제1장 반도체의 기초
제1절 반도체 재료
1. 반도체의 분류
2. 반도체의 특징
3. 반도체의 특성과 기능
4. 반도체의 성질
5. 실리콘(silicon)과 갈륨비소(GaAs)
6. 진성 반도체
7. N형과 P형 반도체
8. 전자와 정공
제2절 반도체의 결정
1. 결정
2. 결정의 종류
3. 결정 구조
4. 밀러 지수(miller index)
5 .에너지의 결합
제3절 에너지 대
1. 에너지 갭
2. 에너지 대와 전자ㆍ정공의 발생
3. 직접 및 간접 결합 반도체
4. 불순물 반도체의 에너지 대
제4절 반도체의 전류
1. 반도체의 전기전도
2. 격자산란
3. 불순물 산란
4. 홀 효과
5. 확산 운동
6. 열생성과 재결합
7. 과잉 소수 캐리어
◆ 복습문제
◆ 연구문제

제2장 반도체의 기본 소자
제1절 PN 접합 다이오드
1. PN 접합의 형성
2. 접촉전위차
3. 공간 전하 영역
4. 정류 특성
5. 공간 전하 영역의 변화
6. 다이오드의 접합 용량
7. 절연 파괴 현상
제2절 바이폴러 트랜지스터
1. 구조와 동작
2. 전류증폭
3. 전류 성분
4. 전류증폭률의 결정
5. 이미터 접지 방식의 동작
6. 트랜지스터에서 발생하는 현상
제3절 MOS형 전계 효과 트랜지스터
1. MOS 구조
2. MOS 구조의 동작
3. MOS 구조의 에너지 대
4. MOSFET의 동작
5. MOSFET의 특성
제4절 MOSFET의 접지 방식
1. 소스 공통
2. 드래인 공통
3. 게이트 공통
제5절 CMOS의 특성
◆ 복습문제
◆ 연습문제

제3장 반도체의 제조 공정
제1절 집적회로 기술
1. 집적회로 기술의 발전
제2절 집적회로의 제작
1. 반도체 소자의 제조 개요
2. 반도체 웨이퍼의 가공
제3절 집적회로의 설계
1. 설계의 흐름
2. CAD의 역할
제4절 웨이퍼 프로세스
1. 웨이퍼 프로세스의 분류
2. 프로세스의 단위 공정
3. 웨이퍼 프로세스의 흐름
4. MOS 소자의 프로세스
제5절 조립 프로세스
1. 조립 공정의 개요
2. 조립 공정의 과정
◆ 복습문제
◆ 연구문제

제4장 개별 반도체 소자
제1절 전력 소자(power device)
제2절 여러 가지 다이오드
1. 검파기
2. 정전압 다이오드
3. 가변 용량 다이오드
4. 건(Gunn) 효과 다이오드
5. IMPATT 다이오드
6. 제너 다이오드
제3절 사이리스터
1. PNPN 접합
2. 실리콘 제어 정류기
4. 실리콘 제어 스위치(SCS)
5. GTO 사이리스터
6. DIAC과 TRIAC
제4절 바이폴러 트랜지스터의 특성
1. 증폭회로
2. 트랜지스터의 특성
제5절 MOSFET의 회로
1. 증폭회로
2. MOS 논리 회로
3. 전략용 MOSFET
4. IGBT의 구조와 특성
5. 신뢰성 기술
◆ 복습문제
◆ 연구문제

제5장 아날로그 소자
제1절 아날로그 IC
1. 여러 가지 분야에 적용
2. 특정 분야에 적용
제2절 아날로그 소자의 설계
1. 기획과 사양 결정
2. 회로 및 논리 설계
3. 패턴 레이아웃 설계
4. 평가 공정
제3절 아날로그 IC의 구조
1. 소자 간 분리
2. 저항
3. 커패시터(capacitor)
제4절 MOS형 아날로그 IC
제5절 BiCMOS의 프로세스
1. BiCMOS 프로세스의 특징
2. BiCMOS의 구조와 종류
제6절 아날로그 IC의 응용
1. 바이폴러 아날로그 IC
2. CMOS 아날로그 IC
3. BiCMOS 아날로그 IC
◆ 복습문제
◆ 연습문제

제6장 논리 소자
제1절 논리 IC의 기본적인 특성
1. 전달 특성
제2절 표준 논리 IC
1. DTL(Diode Transistor Logic)
2. TTL
3. MOS 논리 IC
4. BiCMOS(Bipolar + CMOS)
5. ECL
제3절 반주문형 IC
1. PLD/FPGA
2. 게이트 어레이
3. 셀 기반의 IC
제4절 완전 주문형 논리 IC
제5절 마이크로프로세서
1. 마이크로프로세서의 이해
2. 마이크로프로세서의 CPU 구조
3. 1칩 마이크로컴퓨터
◆ 복습문제
◆ 연습문제

제7장 반도체 메모리
제1절 메모리의 발전과 분류
1. 메모리의 발전
2. 메모리의 분류
3. 메모리의 종류와 기능
제2절 메모리의 구성
1. 커패시티와 디지털 회로의 이해
2. 메모리IC의 핀(pin)
3. 메모리의 기본 구성
4. 패키지의 소형화
제3절 메모리의 동작
1. DRAM의 동작
2. SPAM의 동작
3. 마스크 ROM의 동작
4. PROM의 동작
제4절 메모리의 응용 분야
1. 컴퓨터와 메모리의 관계
2. 반도체 메모리의 비교
3. 메모리의 응용
◆ 복습문제
◆ 연구문제

제8장 특수 반도체 소자
제1절 광 다이오드
제2절 광 트랜지스터
제3절 발광 다이오드
1. 발광 다이오드의 용도
2. 발광 다이오드의 구조
3. 7 - 세그먼트 LED 디스플레이
제4절 태양전지
1. 태양 전지의 용도
2. 태양 전지의 종류 및 구조
제5절 반도체 레이저
1. 반도체 레이저의 용도
2. 반도체 레이저의 구조
제6절 단일접합 트랜지스터
제7절 프로그래머블 단일 접합 트랜지스터
제8절 SUS와 SBS
◆ 복습문제
◆ 연구분제

제9장 정보 디스플레이 소자
제1절 정보 디스플레이의 개요
1. 디스플레이의 구성 요소
2. 디스플레이의 개발
3. 디스플레이의 종류와 특성
제2절 액정 디스플레이(LCD)
1. 액정(liquid crystal)의 종류
2. 액정의 표시
제3절 액정 재료
1. 액정 분자의 기본 구조
2. 디스플레이와 액정 재료
3. STN 액정 재료
4. TFT 액정 재료
5. 강유전성 액정과 반강유전성 액정 재료
6. 액정디스플레이의 용도
제4절 액정의 동작
1. 액정 분자의 배열
2. 액정의 전압 응답
3. 프리틸트 각
4. TN 모드
5. 액정의 편광
6. 매트릭스 표시
7. 액정의 표시 방법
8. 능동형 메트릭스 표시의 구조
9. TFT의 구조
10. TFT의 제조 방법
11. 컬러 표시의 구조
12. 액정 패널
13. 박형(薄型) 후면광(後面光)
14. 액정 디스플레이의 전체 구성
15. 표시 성능
제5절 플라스마 디스플레이
1. 동작 원리
2. 구성 요소 및 재료
◆ 복습문제
◆ 연습문제

부록

복습문제 해답

참고문헌

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저자소개

류장렬 (지은이)    정보 더보기
인하대학교 공과대학 전자공학과를 졸업한 후, 석사와 공학박사학위를 받았습니다. 그 후 미국 배미지주립대학교와 일본 규슈대학교에서 수학했으며, 현재 공주대학교 공과대학 전기전자제어공학부 교수로 근무하고 있습니다. 관심 분야는 반도체공학 교육, LCD 부품, LED 효율 개선 관련 분야로, 이와 관련한 연구 개발을 진행 중에 있습니다. 이러한 일련의 연구를 수행하면서 국내외에 50여 편의 학술 논문을 발표하였고,《Advanced Semiconductor Engineering》,《Advanced Electronic Device Engineering》, 《Digital System Design using VHDL》 등의 책을 저술하였습니다.
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