반도체 소자의 이해

001. <몇 가지 준비 설명>
002. 반도체 이론에서 집적시스템까지
003. 반도체의 모양
004. 전자의 성질
005. Fermi-Dirac의 확률분포함수
006. 에너지자리의 밀도
007. <캐리어>
008. 에너지 띠와 캐리어
009. 캐리어 농도와 Fermi 에너지
010. 캐리어늬 생성과 소멸
011. <캐리어의 이동현상>
012. quasi-Fermi에너지
013. 전하의 공간이동
014. 빈도체에서의 전류식
015. 반도체 소자에서의 잡음
016. <직접회로 공정>
017. 바탕 생각
018. 패턴의 정의
019. 불순물의 주입 및 확산
020. 박막층의 형성
021. 트랜지스터의 제조공정
022. <접합 다이오드>
023. 두반도체 영역의 만남
024. 열평형 상태의 pn 접합
025. 역바이어스가 걸린 다이오드
026. 순방향의 바이어스
027. 다이오드의 스위칭 동작
028. <바이폴라 트랜지스터>
029. 생각의 출발점
030. 전류-전압 특성
031. 집적회로에서의 npn트랜지스터
032. 트랜지스터의 최적화
033. Theyristor
034. 바이폴라 공정에서의 수동소자
035. <금속 절연체 반도체 시스템>
036. 생각의 출발점
037. 반도체 표면이론
038. 문턱전압
039. MIS캐패시터
040. pn접합을 옆에 둔 MOS다이오드
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