현대 반도체 소자 공학

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책 정보

· 제목 : 현대 반도체 소자 공학 (Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits)
· 분류 : 국내도서 > 대학교재/전문서적 > 공학계열 > 전기전자공학 > 반도체공학
· ISBN : 9788998756390
· 쪽수 : 456쪽
· 출판일 : 2013-08-05

책 소개

마이크로전자 공학계에서 명성이 높은 첸밍 후의 최신간으로, 방대한 반도체 공학 내용을 간결한 어조로 집약적인 구성을 통해 소개한다. 태양 전지, LED, 현대 MOSFET과 같은 최신 토픽과 응용 기술을 다루고, 광범위한 내용은 수식과 그림을 통해 쉽게 이해할 수 있도록 구성하였다.

1장 | 반도체 내의 전자와 정공
01_ 실리콘 결정 구조
02_ 전자와 정공의 결합 모델
03_ 에너지 밴드 모델
04_ 반도체, 절연체, 도체
05_ 전자 및 정공
06_ 상태 밀도
07_ 열적 평형상태와 페르미 함수
08_ 전자와 정공의 농도
09_ n과 p의 일반적 이론
10_ 극고온과 극저온에서의 캐리어 농도
11_ 장 요약
연습문제
참조문헌

2장 | 전자 및 정공의 운동과 재결합
01_ 열 운동
02_ 드리프트
03_ 확산 전류
04_ 에너지 다이어그램과 V, ? 간의 관계
05_ D와 μ 간의 아인슈타인 관계식
06_ 전자-정공 재결합
07_ 열 생성
08_ 유사 평형상태와 의사 페르미 준위
09_ 장 요약
연습문제
참조문헌

3장 | 소자 제조 기술
01_ 소자 제조에 대한 서론
02_ 실리콘의 산화
03_ 리소그래피
04_ 패턴 전사─에칭
05_ 도핑
06_ 도펀트 확산
07_ 박막 증착
08_ 상호 연결─후미 공정
09_ 테스팅, 조립, 그리고 검정
10_ 장 요약─소자 제조 예
연습문제
참조문헌

4장 | PN 접합과 금속-반도체 접합
#Part 1: PN 접합
01_ PN 접합 이론의 기초적 요소
02_ 공핍층 모델
03_ 역 바이어스된 PN 접합
04_ 커패시턴스-전압 특성
05_ 접합 항복
06_ 정 바이어스 상태에서 운반자 주입─유사평형 경계 조건
07_ 전류 연속 방정식
08_ 정 바이어스된 PN 접합에서 과잉 운반자
09_ PN 다이오드 IV 특성
10_ 전하 축적
11_ 다이오드의 소신호 모델

#Part 2: 광전 소자에의 응용
12_ 태양전지
13_ 발광 다이오드와 고체 조명
14_ 다이오드 레이저
15_ 광 다이오드

#Part 3: 금속-반도체 접합
16_ 쇼트키 장벽
17_ 열전자 방출 이론
18_ 쇼트키 다이오드
19_ 쇼트키 다이오드의 응용
20_ 양자 역학적 터널링
21_ 옴성 접촉
22_ 장 요약
연습문제
참조문헌

5장 | MOS 커패시터
01_ 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압
02_ 표면 축적
03_ 표면 공핍
04_ 문턱 조건 및 문턱 전압
05_ 문턱 조건 이후의 강반전
06_ MOS 커패시터의 C-V 특성
07_ 산화막 전하
08_ 폴리실리콘 게이트 공핍
09_ 반전 및 축적 전하층 두께와 양자역학적 효과
10_ CCD 및 CMOS 화상기
11_ 장 요약
연습문제
참조문헌

6장 | MOS 트랜지스터
01_ MOSFET의 소개
02_ 상보형 MOS(CMOS) 기술
03_ 표면 이동도와 고이동도 FET
04_ MOSFET Vt, 바디 효과, 가파른 역방향 도핑
05_ MOSFET의 Qinv
06_ 기본적인 MOSFET IV 모델
07_ CMOS 인버터─회로의 예
08_ 속도 포화
09_ 속도 포화 현상이 있을 경우의 MOSFET IV 모델
10_ 기생 소오스-드레인 저항
11_ 직렬 저항과 유효 채널 길이의 추출
12_ 속도 오버슛과 소오스 속도 한계
13_ 출력 컨덕턴스
14_ 고주파 성능
15_ MOSFET 잡음
16_ SRAM, DRAM, 비휘발성 (플래시) 메모리 소자들
17_ 장 요약
연습문제
참조문헌

7장 | 집적회로에서의 MOSFET-축소화, 누설전류 및 다른 토픽
01_ 소자 축소화─가격, 속도 및 전력 소모
02_ 문턱전압 이하 전류─"OFF"는 완전한 "OFF"가 아니다
03_ Vt 감소(롤 오프)─단채널 MOSFET이 심한 누설전류를 갖는다
04_ 게이트 절연막의 전기적 두께 감소 및 터널링 누설전류
05_ Wdep을 줄이는 방법
06_ 얕은 접합과 금속 소오스/드레인 MOSFET
07_ Ion과 Ioff의 절충 및 제조를 위한 설계
08_ 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET
09_ 출력 컨덕턴스
10_ 소자 및 공정 시뮬레이션
11_ 회로 시뮬레이션을 위한 MOSFET 콤팩트 모델
12_ 장 요약
연습문제
참조문헌

8장 | 바이폴라 트랜지스터
01_ BJT 입문
02_ 컬렉터 전류
03_ 베이스 전류
04_ 전류 이득
05_ 컬렉터 전압에 의한 베이스 폭 변조
06_ 에버스-몰 모델
07_ 천이 시간과 전하 저장
08_ 소신호 모델
09_ 컷오프 주파수
10_ 전하 제어 모델
11_ 대신호 회로 시뮬레이션을 위한 모델
12_ 장 요약
연습문제
참조문헌

부록 Ⅰ 상태 밀도의 유도
부록 Ⅱ 페르미-디락 분포함수의 유도
부록 Ⅲ 소수 캐리어 가정의 일관성
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저자소개

첸밍 후 (지은이) 정보 더보기

저자는 미국 캘리포니아대학교(University of California) 버클리(Berkeley) 캠퍼스의 마이크로전자공학 TSMC 우수 교수(TSMC Distinguished Professor Chair of Microelectronics) 이다. 그는 미국국립과학아카데미(U.S. Academy of Engineering)의 회원이고 중국과학자협회(Chinese Academy of Sciences)의 재외 회원이다. 2001년부터 2004년까지, 세계에서 가장 큰 IC 파운드리 회사인 TSMC의 최고기술경영자(Chief Technology Officer)로 재직했으며, 미국 전기전자기술자협회(Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE)의 회원이기도 하다. 1997년에는 트랜지스터 신뢰성에 대한 연구로 잭 모톤 상(Jack Morton Award)을 받았고, 2002년에는 회로 시뮬레이션을 위한 세계적 표준 트랜지스터 모델을 최초로 공동 개발한 공로로 고체회로 상(Solid State Circuits Award)을 받았다. 그리고 2009년에는 소자 물리와 스케일링에 대해 탁월한 기여를 한 공로로 준이치 니시자와 메달(Jun-ichi Nishizawa Medal)의 영광을 안았다. 그는 60명이 넘는 박사 학위 학생의 논문을 지도했고 800편의 기술 논문을 게재했으며, 100건 이상의 U.S. 특허를 획득했다. 그의 다른 명예로운 표창으로는 시그마 사이(Sigma Xi)의 모니 퍼스트 상(Monie A. Ferst Award)이 있으며, 연구개발 100인 상(R&D 100 Award), 그리고 UC 버클리(UC Berkeley)의 최고 교수 상인 버클리 우수 교수 상(Berkeley Distinguished Teaching Award)이 있다.

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권기영 (지은이) 정보 더보기

공주대학교 전기전자제어공학부 명예교수로 , 한국과학기술원(KAIST)에서 전기 및 전자공학 박사 학위를 취득했다. 삼성반도체 선임연구원으로 근무했으며, 텍사스 주에 있는 서던메소디스트대학교(Southern Methodist University)에서 객원교수를 역임했다. 저서로는 『핵심이 보이는 반도체 공학』 (한빛아카데미, 2015)이 있으며, 역서(공역)로는 『전기전자공학개론(개정 6판)』 (한빛아카데미, 2017)이 있다.

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신형철 (옮긴이) 정보 더보기

서울대학교 전기공학부 교수로 , 서울대학교 전자공학과에서 학사 및 석사 학위를 취득하고 미국 캘리포니아대학교 버클리 캠퍼스에서 박사 학위를 취득했다. 모토롤라 및 퀄컴에서 연구원으로 근무했으며, KAIST에서 교수를 역임했다. 저서(공저)로는 『NANOCAD와 함께 하는 반도체 소자』 (대영사, 2005)가 있다.

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이종호 (옮긴이) 정보 더보기

서울대학교 전기공학부 교수로 , 서울대학교 전자공학과에서 박사 학위를 취득했다. 미국 MIT(Massachusetts Institute of Technology)에서 박사후 과정을 보냈고, 원광대학교와 경북대학교에서 교수로 재직했다. 저서(공저)로는 M『 OSFETs : Performance』 S( cientific)가 있다.

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