반도체 기초 전자회로

Chapter 01 반도체 역사 및 전자 시스템
1.1 전자 신호
1.2 진공관 시대
1.3 반도체 시대
1.4 반도체 센서 기반 전자 시스템9

Chapter 02 반도체 물성
2.1 진성 반도체
2.2 불순물 반도체

Chapter 04 반도체 공정과 레이아웃
3.1 반도체 공정 기술
3.1.1 웨이퍼 제조 기술
3.1.2 산화 기술
3.1.3 확산 기술
3.1.4 이온주입 기술
3.1.5 노광 기술
3.1.6 식각 기술
3.1.7 증착 기술
3.1.8 패시베이션 공정 기술
3.2 반도체 레이아웃 기술
3.2.1 반도체 기본 소자의 레이아웃
3.2.2 저항 및 커패시터의 특성 분포
3.2.3 레이아웃 수행 시 고려해야 할 세 가지 기법
3.2.4 NOT 게이트 회로 레이아웃
3.2.5 공통 소스 증폭기 레이아웃
3.2.6 레이아웃 설계 규칙

Chapter 04 반도체 소자 물성 및 모델링
4.1pn 접합 다이오드 모델링
4.1.1 애버랜치 pn 접합 다이오드
4.1.2 제너 pn 접합 다이오드
4.1.3 특수 다이오드 모델링
4.2 MOSFET 전계효과 트랜지스터 모델링
4.3 바이폴라 접합 트랜지스터 모델링

Chapter 05 다이오드 회로
5.1 다이오드 논리회로 및 바이어스 회로
5.2 정류 회로
5.2.1 변압기
5.2.2 반파 정류 회로
5.2.3 브릿지 전파 정류 회로
5.3 신호크기 제한 회로
5.4 클램핑 회로
5.5 배전압 회로
5.6 광 고립 회로

Chapter 06 전계효과 트랜지스터 회로
6.1 기본 스위치
6.2 기본 논리 회로
6.2.1 NOT 게이트
6.2.2 트랜스미션 게이트
6.2.3 NAND 게이트
6.2.4 NOR 게이트
6.2.5 멀티플렉서 회로
6.2.6 AND 게이트 회로
6.2.7 OR 게이트 회로
6.2.8 XOR 게이트 회로
6.3 기본 플립플롭 회로
6.3.1 S-R 플립플롭 회로
6.3.2 D 플립플롭 회로
6.3.3 J-K 플립플롭
6.3.4

T 플립플롭
6.4 래치 회로
6.5 기본 스위치와 래치 회로를 기반으로 한 고속 래치 비교기 회로
6.6 반도체 기본 증폭기 회로
6.6.1 증폭기의 필요성
6.6.2 일반적 증폭기 구조 및 동작 원리
6.6.3 이상적 증폭기의 종류
6.6.4 MOSFET 바이어스 회로
6.6.5 소신호 회로 해석 방법
6.6.6 3가지 기본 증폭기 해석 및 설계
6.6.7 기본 MOSFET 증폭기 집적 회로의 성능 비교 설명 및 요약

Chapter 07 바이폴라 접함 트랜지스터 회로
7.1 스위치 기능
7.2 BJT 바이어스 회로
7.3 BJT 기본 증폭기
7.3.1 공통 이미터 증폭기
7.3.2 공통 베이스 증폭기
7.3.3 공통 컬렉터 증폭기

Appendix A 회로이론 기초
A.1 오움 법칙
A.2 키르히호프 전압 법칙
A.3 키르히호프 전류 법칙
A.4 테브닌(Thevenin) 정리
A.5 노턴(Norton) 정리
A.6 중첩 원리(Superposition theorem)

Appendix B SPICE 사용법
B.1 SPICE 모의실험 소프트웨어
B.2 SPICE 모의실험 프로그램 내 숫자 크기 및 소자 표기법
B.2.1 숫자 크기
B.2.2 소자 표기법
B.3 모의실험 해석 종류 및 넷리스트 구성법
B.3.1 DC 해석
B.3.2 AC 해석
B.3.3 TRAN 해석
B.3.4 FOUR 해석
B.3.5 NOISE 해석
B.3.6 MC 해석
B.3.7 TF 해석
B.3.8 신호 파형
B.3.9 부분 회로 구성(subckt)
B.3.10 넷리스트 구조
B.3.11 독립 전압원 및 독립 전류원
B.3.12 종속 전압원 및 종속 전류원

Appendix C 반도체 기초 전자회로에서 사용되는 상수 표