NAND Flash 메모리 동작특성 책 가격비교

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책 정보

· 제목 : NAND Flash 메모리 동작특성 (Basic Insight)
· 분류 : 국내도서 > 대학교재/전문서적 > 공학계열 > 전기전자공학 > 반도체공학
· ISBN : 9791156003762
· 쪽수 : 596쪽

Chapter 01 에너지 양자화와 Fermi 확률함수
Chapter 02 Carrier의 생성과 Energy Level
Chapter 03 NAND Flash의 기본 소자, MOSFET 특성
Chapter 04 NAND Flash의 Architecture
Chapter 05 Threshold Voltage와 제품 다변화
Chapter 06 Program Electron Injection
Chapter 07 Erasure, NAND의 고유특성
Chapter 08 Read, Cell 상태의 구분 및 출력
Chapter 09 NAND의 신뢰성과 불량 Mechanism
Chapter 10 NAND Density 확장의 방향

Index
후기
Appendix

저자소개

진종문 (지은이) 정보 더보기

한국항공대학교 전자공학과를 졸업(공학사)한 후 모토로라 코리아(Motorola Korea Co., Ltd. 반도체 부문) Final Test에서 High Frequency & Optical Device의 Test Engineering Reliability & Assurance를 담당했다. 현대전자산업㈜ 반도체 품질보증실(DRAM Memory), 사명이 변경된 하이닉스반도체㈜ 품질보증실(DRAM Based Module), Mobile & Flash 사업본부(NAND Flash Memory & Marketing), Flash 개발본부(NAND Flash Memory)에서 수석연구원을 지냈고, 다시 사명이 변경된 SK하이닉스㈜ Flash Solution 개발본부(NAND Flash Memory), NAND Solution 개발본부(NAND Based SSD)의 수석연구원을 포함하여 27년간 반도체 제품에 대한 신뢰성/품질 및 연구개발을 진행했다. 현재는 국립한밭대학교 지능형 나노반도체학과에서 산학협력중점 교수로 재직 중이다. IEEE 정회원, IEIE 평생회원이다. 저서로는 『NAND Flash 메모리』(홍릉과학출판사, 2015)가 있다. 본 도서는 국내 최초로 출간된 NAND 메모리 관련 도서이다.

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