반도체 개론과 공정

1장 전기전자 이론(ELECTRIC ELECTRON THEORY)
1.1 전기(Electric)
1.2 원자(Atom)
1.3 정전계(Electrostatic field)
1.4 자기장(Magnetic field) 특징
1.5 옴의 법칙(Ohm’s law)
1.6 전류(Current)
1.7 전압(Voltage)
1.8 저항(Resistance)
1.9 키르히호프 법칙(Kirchhoff's law)
1.10 유전체(Dielectric substance)
1.11 전자유도(Electron induction)
1.12 인덕턴스(Inductance)
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2장 반도체 이론(SEMICONDUCTOR THEORY)
2.1 반도체(Semiconductor)
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3장 실리콘 결정(WAFER CRYSTAL)
3.1 결정 구조(Crystal structure)
3.2 결정면(Crystal plane)
3.3 단결정 성장(Single crystal growth)
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4장 실리콘 웨이퍼 세정, 성장, 제조(CLEAN, GROWTH, MANUFACTURE)
4.1 크린룸(Clean room)
4.2 웨이퍼 세정(Wafer clean)
4.3 웨이퍼 성장(Wafer growth)
4.4 웨이퍼 제조(Wafer manufacture)
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5장 산화공정(OXIDATION)
5.1 산화(Oxidation)
5.2 도펜트 주입(Dopant implantation)
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6장 박막 증착(THINFILM DEPOSITION)
6.1 물리기상증착(PVD: physical vapor deposition)
6.2 화학기상증착(CVD: chemical vapor deposition)
6.3 금속막 형성(Metal membrane)
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7장 포토리소그래피와 소자 제조(PHOTOLITHOGRAPHY, DEVICE MAKING)
7.1 마스크(Mask)
7.2 감광액(Photoresist, PR)
7.3 포토 리소그래피(Photolithography process)
7.4 소자 제조(Device making)
7.5 MOSFET 제조(MOSFET make)
7.6 패키지(Package)
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Appendix
1.1 기호 및 단위
2.1 SI 단위 표현
3.1 전기전자 용어
4.1 반도체 용어(크린룸)
5.1 NCS 반도체공정 기술 직무
6.1 NCS 반도체공정 장비 직무
7.1 연습문제 해답
8.1 REFERENCE
9.1 INDEX