반도체 전공정장비 2

PART 01

반도체박막장비 기술

Chapter 1 화학기상증착 공정기술

1. 화학기상증착(CVD) 공정의 정의

2. CVD 공정 및 장비 종류

3. 금속 공정 기술의 응용

Chapter 2 PVD 공정 기술

1. 금속 배선(Metal Interconnect)의 목적 및 역할

2. 금속 공정의 종류 및 역할

3. 스퍼터링(Sputtering)의 원리 및 이해

4. 금속막의 종류 및 역할

5. 금속 박막(Metal film)의 특성평가(Parameter, 불량)

6. 살리사이드(Salicide, Self Aligned Silicide) 공정

7. 급속 열처리 공정(RTP : Rapid Thermal process)


PART 02

반도체 확산/원자증착장비 기술


Chapter 3 확산 공정

1. 서론

2. 산화공정(Oxidation)

3. 확산공정

4. LP-CVD 공정

5. 에피 공정 기술(Epitaxial Process Technology)

6. 측정기술


Chapter 4 ALD 공정장비 기술

1. 서론

2. ALD 공정

3. ALD 응용

PART 03

반도체 이온주입장비 기술


Chapter 5 이온주입 공정

1. 이온주입(Ion Implant) 공정의 개요

2. 어닐링 공정(Annealing Process) 개요

3. 안전(Safety)

4. 이온주입 장비

5. 열처리 공정

6. 이온주입공정(Implant Process) 응용

7. RTA 공정(Rapid Thermal Annealing) 응용


PART 04

반도체 세정장비 기술


Chapter 6 세정 공정장비 기술

1. 세정 기술의 개요

2. 건조 공정 기술

3. 차세대 세정 공정기술

4. 세정 공정의 적용

5. 반도체 세정용 약액

6. 장비 유지 보수

7. 안전(safety)


PART 05

화학적 기계적 연마(CMP) 공정장비

Chapter 7 CMP(Chemical Mechanical Polishing)

기술 개요

1. CMP(화학적 기계적 연마) 기술의 정의

2. CMP 장비 구성 및 역할

3. CMP 장비의 기능 모듈별 구성 및 역할

4. 주요 구성품 및 역할

5. 주요 부품 분해조립 및 고장 대응

6. 장비 운영－operation 등