VLSI 공정기술

1장 반도체 칩 제작의 소개
1. 반도체 소자의 발전 과정
2. 반도체 재료의 개요
3. 반도체 칩 제조 시설
4. 반도체 칩 제작의 단계

2장 산화
1. 건식 산화와 습식 산화
2. 산화 모델
3. 산화율에 영향을 주는 요소들
4. 산화막 내의 전하분포
5. 산화막의 응용

3장 확산
1. 확산 공정
2. 확산 방정식
3. 확산 계수
4. 확산 프로파일의 분석
5. 확산 불순물 재료와 확산 반응
6. 확산 시스템

4장 이온 주입
1. 이온분포
2. 이온정지 메커니즘
3. 채널링(Channeling)
4. 격자결함과 어닐링
5. 다중주입고 마스킴
6. 이온 주입 시스템

5장 박막증착
1. 화학기상증착
2. ALD(Atomic Layer Deposition)
3. 에피택시
4. 물리기상증착(PVD)

6장 리소그래피
1. 포토 리소그래피
2. 방사 리소그래피
3. 마스크
4. 감광제

7장 식각기술
1. 식각 변수
2. 습식 식각
3. 건식 식각

8장 상호접속과 평탄화
1. 금속-실리콘 접촉
2. 실리사이드
3. 다층 금속화 공정
4. Cu 금속화 공정
5. 평탄화

9장 집적회로 공정
1. 수동 소자
2. 바이폴라 트랜지스터
3. MOSFET
4. CMOS

부록 A Physical constants