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핵심N 물리전자공학

핵심N 물리전자공학

남춘우 (지은이)
  |  
문운당
2018-03-02
  |  
25,000원

일반도서

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핵심N 물리전자공학

책 정보

· 제목 : 핵심N 물리전자공학 
· 분류 : 국내도서 > 대학교재/전문서적 > 공학계열 > 전기전자공학 > 전기전자 개론
· ISBN : 9791156923510
· 쪽수 : 336쪽

목차

Chapter 1 기초양자물리
1.1 양자론
1.2 원자모델
1.3 솜머펠드 원자모형
1.4 전자의 스핀
1.5 물질파
1.6 슈뢰딩거 파동방정식
1.7 무한 네모 우물 퍼텐셜 내의 전자
1.8 불확정 원리
1.9 터널링 효과

Chapter 2 결정과 에너지 밴드
2.1 격자
2.2 결정구조
2.3 단결정 성장법
2.4 고체의 에너지 밴드
2.5 에너지-파수 공간

Chapter 3 반도체와 캐리어 농도
3.1 반도체의 유형
3.2 캐리어 농도

Chapter 4 캐리어 수송 및 광생성과 재결합
4.1 캐리어 수송
4.2 광생성과 재결합

Chapter 5 pn접합과 금속-반도체 접촉
5.1 pn 접합
5.2 금속-반도체 접촉

Chapter 6 다이오드
6.1 pn 접합 다이오드
6.2 정류 다이오드
6.3 제너 다이오드
6.4 포토 다이오드
6.5 발광 다이오드
6.6 레이저 다이오드

Chapter 7 쌍극성 접합 트랜지스터
7.1 BJT의 구조
7.2 BJT의 동작
7.3 BJT의 특성 파라미터
7.4 BJT의 바이어스
7.5 BJT의 입출력 특성 곡선

Chapter 8 전계효과 트랜지스터
8.1 JFET
8.2 MOSFET
8.3 GaAs MESFET

Chapter 9 사이리스터
9.1 pnpn 다이오드
9.2 실리콘 제어 정류기
9.3 실리콘 제어 스위치
9.4 게이트 턴오프 스위치
9.5 광활성 SCR
9.6 다이악
9.7 트라이악

저자소개

남춘우 (지은이)    정보 더보기
울산공과대학 전기공학과(공학사, 1982) 연세대학교 대학원 전기공학과(공학박사, 1989) 삼성전자 반도체 연구소(1986-1990) 동의대학교 전기공학과 교수(1990-현재) 국제학술지논문(SCI) 130편(제1저자), 국제학술지논문(SCIE) 8편(제1저자), 국내학술지논문 72편(제1저자), 국내학술대회논문 49편, 특허 16건의 연구실적을 가지고 있으며, 대한전기학회 학회상(기술상-1987), 한국전기전자재료학회 학회상(논문상-1999, 학술상-2003, 논문상-2006, 학술상-2009)을 4회 수상하였으며, 동의대학교 교원업적상(연구영역, 2005-2014)을 10년 연속 수상하였다. 그리고 인명사전 마르퀴즈 후즈후(과학-공학)에 2003년부터 연속 등재되었고, 2004년에 인명사전 IBC(영국)에 등재된 바 있다. 2015년 현재 대한전기학회 정회원, 한국전기전자재료학회 종신회원, 한국재료학회 정회원, 한국세라믹학회 정회원이다.
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