MOS 반도체 공학

Chapter 01 반도체 재료와 물성
1-1. 실리콘의 결정성
1-2. 실리콘의 성질
1-3. 도너 도핑
1-4. 억센터 도핑
1-5. 전기 전도

Chapter 02 pn 접합의 형성
2-1. pn접합(0바이어스)
2-2. 순방향 바이어스된 pn접합
2-3. 역방향 바이어스된 pn접합
2-4. 다이오드식
2-5. pn 접합의 전계와 항복전압
2-6. 공핍층 커패시턴스

Chapter 03 실리콘의 표면 성질
3-1. 이상적인 경우의 에너지 밴드 대역도
3-2. 문턱전압 VT 의 계산
3-3. 이상적에서 벗어난 효과

Chapter 04 MOS 트랜지스터
4-1. 선형 영역
4-2. 포화 영역
4-3. 눈사태(avalanche) 영역
4-4. 문턱전압 이하 영역
4-5. 2차 효과
4-6. 문턱전압을 측정하는 방법
4-7. MOS 트랜지스터의 응용

Chapter 05 CMOS
5-1. CMOS의 장·단점
5-2. CMOS 회로
5-3. CMOS 회로 분석
5-4. 전력소비
5-5. 공정 문제
5-6. 래치업
5-7. 실리콘 온 사파이어

Chapter 06 디지털 직접회로 설계
6-1. MOS 디지털 집적회로의 구성 블록
6-2. 인버터의 직류해석
6-3. 인버터의 과도해석
6-4. MOS 논리 회로
6-5. 기억 회로
6-6. 다른 회로 기술

Chapter 07 반도체 제조 공정
7-1. 산화
7-2. 확산
7-3. 이온 주입
7-4. 증착
7-5. 포토리소그래피
7-6. 세정

Chapter 08 MOS 집적회로 제조
8-1. 금속 게이트 PMOS
8-2. 금속 게이트 NMOS
8-3. 금속 게이트 CMOS
8-4. 실리콘 게이트 LOCOS NMOS 공정
8-5. 고성능 MOS 공정
8-6. 공정 향상