계산전자공학 입문 (반도체 공정)

머리말
감사의 글
주요 표기법
주요 상수들

CHAPTER 01 서 론
1.1 계산전자공학에 대하여
1.2 공정 시뮬레이션에서 다루는 범위
1.3 구조의 표현
1.4 역사적인 발전

CHAPTER 02 2차원/3차원 구조, 과도 응답, 희소 행렬
2.1 들어가며
2.2 2차원/3차원 구조
2.3 Laplace 방정식의 구현
2.4 과도 응답
2.5 희소 행렬

CHAPTER 03 산화 공정
3.1 들어가며
3.2 산화 공정의 원리
3.3 Deal-Grove 모델의 유도
3.4 Deal-Grove 모델의 수치해석적 구현
3.5 1차원 부피 팽창
3.6 Deal-Grove 모델의 2차원 확장
3.7 산화 공정 시뮬레이션

CHAPTER 04 확산 공정
4.1 들어가며
4.2 확산 공정의 원리
4.3 단순한 확산 시뮬레이션
4.4 경계 조건
4.5 2차원 확장
4.6 여러 종류의 불순물 확산
4.7 전기장 효과
4.8 발전된 확산 시뮬레이션 기법들

CHAPTER 05 이온 주입 공정
5.1 들어가며
5.2 이온 주입의 원리
5.3 주입된 이온의 분포에 대한 해석적인 식들
5.4 Monte Carlo 기법
5.5 Monte Carlo 기법의 적용 예

CHAPTER 06 공정 에뮬레이션
6.1 들어가며
6.2 공정 에뮬레이션의 필요성
6.3 Level-set 함수
6.4 Level-set 방정식
6.5 발전된 공정 에뮬레이션 기법들

CHAPTER 07 MOSFET 공정
7.1 들어가며
7.2 서울대학교 반도체공동연구소 0.25 마이크론 CMOS 공정
7.3 공정 시뮬레이션

CHAPTER 08 마무리
8.1 요약
8.2 다루지 못한 관련 주제들

참고문헌
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지은이 소개