반도체 집적 공정

1장 서론
1.1 반도체 물질
1.2 반도체 소자
1.3 반도체 공정 기술
1.4 기본 제작 단계
1.5 요약

2장 결정 성장
2.1 액상 용탕으로부터의 실리콘 결정 성장
2.2 실리콘 부유 대역 공정
2.3 GaAs 결정 성장 기술
2.4 재료 특성
2.5 요약

3장 실리콘 산화
3.1 열 산화 공정
3.2 산화 과정 중 불순물 재분포
3.3 실리콘 산화막의 마스킹 특성
3.4 산화물 품질
3.5 산화물 두께 특성
3.6 산화 모의 실험
3.7 요약

4장 광 노광 공정
4.1 광학적 노광
4.2 차세대 노광 기술
4.3 광 노광 모의 실험
4.4 요약

5장 식각 공정
5.1 습식 화학 식각
5.2 건식 식각
5.3 식각 모의 실험
5.4 요약

6장 확산
6.1 기본 확산 공정
6.2 외인성 확산
6.3 측면 확산
6.4 확산 모의 실험
6.5 요약

7장 이온 주입
7.1 주입된 이온의 범위
7.2 이온 주입 손상과 열처리
7.3 이온 주입 관련 공정
7.4 이온 주입 모의 실험
7.5 요약

8장 박막 중착
8.1 에피택시얼 성장 기술
8.2 에피택시얼 층의 구조와 결함
8.3 유전체 증착
8.4 다결정 실리콘 증착
8.5 금속화 공정
8.6 증착 모의 실험
8.7 요약

9장 집적 공정
9.1 수동 부품
9.2 쌍극성 기술
9.3 MOSFET 기술
9.4 금속-반도체 전계 효과 트랜지스터(MESFET) 기술
9.5 MEMS 기술
9.6 공정 모의 실험
9.7 요약

10장 IC 제조
10.1 전기적 시험
10.2 패키징
10.3 통계적 공정 변수 제어
10.4 통계적 실험 계획법
10.5 수율
10.6 컴퓨터 통합 생산
10.7 요약

11장 미래의 추세와 도전
11.1 집적화를 위한 시도
11.2 SOC
11.3 요약

부록 A 기호 목록
부록 B 단위(SI 단위)
부록 C 단위용 접두어
부록 D 그리스 문자
부록 E 물리학적 상수
부록 F 절대 온도 300도에서 Si와 GaAs의 특성
부록 G 오차 함수 특성
부록 H 기체의 기본적인 운동 이론
부록 I SUPREM 명령문
부록 J PROLITH 수행
부록 K t분포의 백분율 소수점
부록 L F분포의 백분율 소수점

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