Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 성장법

머리말

제1장 서론

1,1 반도체 재료의 일반적 성질
1.2 Ⅱ-Ⅵ족 반도체의 역사적 배경

제2장 결정구조

2.1 기본개념
2.2 결정격자
2.3 공간(Bravais) 격자 14개와 7결정계
2.4 대칭 요소
2.5 점군과 공간군
2.6 결정의 방향, 결정면과 Miller 지수
2.7 간단한 결정구조의 예
2.8 연접결정과 다형체 결정
2.9 고용체와 혼합결정

제3장 에너지 띠

3.1 원자, 분자 및 고체의 에너지 스펙트럼
3.2 결정에 대한 Schrodinger 방정식과 Bloch 함수
3.3 준자유전자 모형과 밀접결합 모형
3.4 회전과 거울대칭의 효과
3.5 Ⅱ-Ⅵ 화합물 반도체의 전형적 E-k분포도
3.6 전도전자 띠
3.7 일정한 에너지 띠 면과 유효질량
3.8 Fermi 에너지와 고유 운반자 농도

제4장 MCT의 물리적 성질의 개요

4.1 전기전도도(σ)와 전기이동도
4.2 광학적 성질
4.3 불순물과 그 효과
4.4 운반자 수명

제5장 Ⅱ-Ⅵ족 화합물의 열역학적 고찰

5.1 Ⅱ-Ⅵ계의 열역학
5.2 수은 칼고겐 화합물의 특성
5.3 수은-칼고린 화합물의 상평형도
5.4 상평형도에 의한 경정성장의 한계

제6장 Ⅱ-Ⅵ족 화합물의 결정성장

6.1 증기상을 이용한 성장 방법
6.2 액체상으로부터 성장 방법
6.3 용융 내에서 대류

제7장 THM 법에 의한 HgCdTe 덩어리 단결정성장

7.1 MCT 덩어리 단결정의 결정성장 이론
7.2 결정성장 실험
7.3 결정성 분석과 불순물을 정제하기 위한 열처리

제8장 앰플 내의 대류와 온도 분포

8.1 고상과 액상 사이의 결정성장 경계면의 모양
8.2 히터의 위치에 따른 온도 변화
8.3 THM의 열적 모델의 설정
8.4 유한차분방법
8.5 Gauss-Seidel 궤한

참고문헌