logo
logo
x
바코드검색
BOOKPRICE.co.kr
책, 도서 가격비교 사이트
바코드검색

인기 검색어

실시간 검색어

검색가능 서점

도서목록 제공

AI 시대, 다시 시작하는 반도체 공부

AI 시대, 다시 시작하는 반도체 공부

(미세화 한계에서 인공지능 등장까지, 위기를 넘어 진화하는 반도체 기술들)

정인성 (지은이)
애플씨드
23,000원

일반도서

검색중
서점 할인가 할인률 배송비 혜택/추가 실질최저가 구매하기
20,700원 -10% 0원
1,150원
19,550원 >
yes24 로딩중
교보문고 로딩중
11st 로딩중
영풍문고 로딩중
쿠팡 로딩중
쿠팡로켓 로딩중
G마켓 로딩중
notice_icon 검색 결과 내에 다른 책이 포함되어 있을 수 있습니다.

중고도서

검색중
서점 유형 등록개수 최저가 구매하기
로딩중

eBook

검색중
서점 정가 할인가 마일리지 실질최저가 구매하기
aladin 18,000원 -10% 900원 15,300원 >

책 이미지

AI 시대, 다시 시작하는 반도체 공부
eBook 미리보기

책 정보

· 제목 : AI 시대, 다시 시작하는 반도체 공부 (미세화 한계에서 인공지능 등장까지, 위기를 넘어 진화하는 반도체 기술들)
· 분류 : 국내도서 > 경제경영 > 재테크/투자 > 주식/펀드
· ISBN : 9791199072978
· 쪽수 : 340쪽
· 출판일 : 2025-11-10

책 소개

반도체 미세화의 위기를 돌파하기 위한 세 가지 혁신 방향을 제시한다. 첫째, 제조 공정과 장비, 소자 구조의 3차원화로 한계를 넘는 ‘아래에서 위로’의 혁신. 둘째, AP와 HBM 등 패키징 기술을 통해 IT 산업의 변화를 견인한 ‘안에서 바깥으로’의 도전. 셋째, CXL과 PIM 같은 새로운 협업 기술로 공장 밖까지 확장하는 ‘공장 밖으로’의 진화다.

목차

프롤로그 아래에서 위로 향하는 반도체 여정

1장 무어의 시대
01. 소프트웨어와 컴퓨터
소프트웨어, 인간의 꿈
컴퓨터, 꿈을 이루는 도구

02. 인류의 축복, 트랜지스터와 컴퓨터
컴퓨터 부품의 벽돌: 트랜지스터
반도체 제조의 두 축복: 무어와 데너드
최초의 승자들: CPU, D램, 낸드 플래시

03. 반도체 만들기
반도체 설계
반도체 제조(전공정)
반도체 패키징(후공정)
다양한 반도체 사업 모델

2장 미세화의 진척과 반도체 제조의 고민
01. 노광 잔혹사: 패턴 그리기의 어려움
간략한 노광의 역사
EUV의 등장과 제조 회사의 어려움
새 광원이 없는 미래: 하이-NA

02. 데너드여 안녕: 작게 그려도 잘 동작하지 않는 반도체
트랜지스터 동작 자세히 보기
양자 효과와 누설전류

3장 아래층에서 위층까지: 전공정의 문제 극복하기
01. 전공정의 미세화 방식
소자층 기술 사용처 요약
일회용 밀도 부스터, 밀도와 성능

02. 소자층의 문제: 작은 트랜지스터 만들기
게이트를 강화하는 고품질 물질: High-k Metal Gate
채널 유효 폭 넓히기: 핀펫, 게이트 올 어라운드(나노시트)
D램 채널의 유효 거리 넓히기: Recessed Channel
D램 미세화의 한계와 소자 적층: 수직 채널(Vertical Channel)
단위 저장소의 3차원화: 3D낸드와 3D D램

03. 금속배선의 문제: 소자와 소자 연결하기
미세화가 금속배선에 일으키는 문제
새로운 배선 소재: 알루미늄, 구리, 그다음
미시 세계의 땜납: 컨택
얇은 절연막으로 전류 막기: 로우-k
웨이퍼의 뒷면까지: 후면전력공급(BSPDN)

04. 개선되지 않는 소자로 반도체 만들기: 설계와 미세화
미세화와 데이터 결함: 오류정정부호
미세화로 발생하는 물리적 보안 취약점: 로우해머
설계 회사가 함께하는 제조: DTCO
고밀도 제조와 고성능 제조의 완충재: 캐시 메모리
차를 빠르게 할 수 없다면 차선을 넓게: GDDR과 HBM

4장 전공정 바깥 세상의 전쟁: 패키징
01. 새로운 패키징의 등장
패키징 용어와 의미
패키징을 바라보는 관점: 공간 활용과 배선 효율성
패키징 황금기의 1등 공신: 모바일

02. 패키징 요소기술의 발전
배선 거리 좁히기: 와이어 본딩에서 플립칩까지
배선 밀도 높이기: 더 나은 패키지 기판을 향하여
부품 결합하기: 리드프레임(핀), 볼, 범프
전공정과 패키징 사이: 재배선층
여러 칩 함께 사용하기: 다이 스태킹과 PoP
생산성 향상과 패키지 크기: 웨이퍼 레벨 패키징, 팬인, 팬아웃

03. 다양한 패키징 예시
간단한 아이디어를 통한 큰 개선: 플립 칩과 CPU
상호작용이 큰 두 칩 결합: 멀티 칩 패키징
가격 효율이 높은 다중 칩 패키징: 와이어 본딩과 다이 스태킹
두께와의 싸움: 모바일 AP와 패키지 온 패키지
모바일 메모리의 새로운 패키징: 수직 팬아웃(VFO: Vertical Fan Out)과 수직 구리 기둥 스택(VCS: Vertical Cu-Post Stack)

5장 바깥세상으로 나오는 전공정: 3차원, 2.5차원 패키징
01. 전공정 기술과 함께
첨단 패키징 용어와 의미
공정 미세화의 한계와 패키징

02. 3차원, 2.5차원 패키징의 주요 요소 기술
전공정 기술로 구현하는 와이어 본딩: TSV
볼과 범프의 최종 진화: 하이브리드 본딩
기판을 대체하는 웨이퍼: 실리콘 인터포저
기판과 실리콘 인터포저의 장점만: 실리콘 브리지

03. 다양한 3차원 패키징 제품 예시
제조 효율 높이기: 낸드 플래시와 칩 3차원 적층
패키징을 통한 신규 제품: AMD의 3D V-Cache
공간 절약과 고밀도 연결을 위한 연결: HBM
액티브 인터포저 + 패키징 종합세트: 레이크필드

04. 다양한 2.5차원 패키징 제품 예시
2.5차원 패키징으로 만든 가속기: NVIDIA A100
CPU를 결합한 인공지능 가속기: AMD MI300A
가성비 패키징의 한계: 인텔 사파이어 라피즈

6장 패키지 밖으로: 전용 반도체, 새로운 개념
01. GPU, NPU, TPU: 역할과 구현
02. CXL: 새로운 표준을 통한 개선
03. PIM: 컴퓨터의 정의를 바꾸려는 메모리

7장 시점을 바꿔: 사용자가 보는 반도체
01. 모바일이 일으킨 저전력, 고밀도 유행
02. 인공신경망으로 인한 고성능 반도체 격변

결론
01. 미세화의 어려움: 1회용 부스터, 3차원화
02. 공장을 벗어나는 반도체 산업

저자소개

정인성 (지은이)    정보 더보기
SK 하이닉스 재직 『반도체 제국의 미래』 저자 『AI 혁명의 미래』 공저자 반도체 산업은 이미 2019년에 미국과 중국 두 국가의 패권 다툼에 중요한 역할을 할 수 있을 정도로 중요했고, 2023년 챗GPT가 등장하며 그 중요성은 더욱 커졌다. 반도체 산업의 중요성이 알려지게 되니, 반도체를 공부해 보려는 사람 역시 늘어났다. 그런데 최근 수많은 반도체 용어가 등장하며 사람들을 혼란스럽게 하고 있다. GPU, HBM, 하이브리드 본딩 등 기존에 들어보지 못한 다양한 신기술 용어가 언론에 등장하기 시작했고, 이로 인해 사람들이 반도체 기술 이해에 어려움을 겪고 있다. 그렇기에 이 책을 쓴다. 이 책을 통해 각 반도체 용어들이 등장한 배경과, 이들이 해결하고자 하는 문제점을 알아봄으로써 최근 범람하는 반도체 기술 용어 사이의 관계를 이해하고, 나아가 미래에 등장할 새로운 용어를 이해할 틀을 제공하고자 한다.
펼치기

책속에서



반도체 산업은 반도체 제조 장비를 이용해 더 작고 효율 좋은 소자를 낮은 원가로 제조한 뒤, 이를 금속배선으로 연결함으로써 최종적으로는 더 나은 처리장치와 저장장치 등의 컴퓨터 부품을 만들어 내는 사업이다. 반도체 회사는 신제품을 개발하여 컴퓨터 회사로부터 더 많은 수익을 올리고, 새로운 고성능 컴퓨터를 구입한 사람은 기존 프로그램을 더욱 빠르게 구동하거나, 기존에는 구동할 수 없던 프로그램을 구동할 수 있게 된다. 이렇게 발생하는 부가가치 중 일부는 다시 반도체 회사에 매출의 형태로 유입되어 미세화에 추가 투자가 이루어짐으로써 반도체 산업, 나아가 IT 산업이 성장하는 선순환이 일어난다. 달리 말하면, 더 작고 효율 좋은 소자를 만들어 내지 못하면 이 선순환이 깨진다는 의미이다.


반도체 미세화는 채널 폭뿐만 아니라 채널의 길이에도 영향을 끼친다. 미세화로 인해 트랜지스터 채널의 양 끝인 소스와 드레인의 거리가 매해 가까워지자, 양자 효과 중 하나인 단채널 효과Short Channel Effect가 커지기 시작했다. 단채널 효과는 게이트가 닫힌 상태임에도 소스와 드레인 사이에 전류가 흐르는 현상이다. 앞서 하이-k 금속 게이트 기술에서 게이트와 채널 사이의 누설 전류에 관해 알아보았는데, 단채널 효과는 동일한 현상이 소스와 드레인 사이에서 발생하는 것이라고 이해하면 좋다. 당연하지만, 이 역시 더 작은 트랜지스터를 만들면 일어나는 피할 수 없는 물리 현상이다.


이 포스팅은 쿠팡 파트너스 활동의 일환으로,
이에 따른 일정액의 수수료를 제공받습니다.
이 포스팅은 제휴마케팅이 포함된 광고로 커미션을 지급 받습니다.
도서 DB 제공 : 알라딘 서점(www.aladin.co.kr)
최근 본 책
9791199072992